2023考研大纲：天津理工大学2023年考研自命题科目 821半导体物理 考试大纲

一、考试方式

考试采用笔试方式，考试时间为180分钟，试卷满分为150分。

?

二、

试卷结构与分数比重

试题分为名词解释、简答题、证明题、计算题、论述题等。其中：名词解释占20%，简答题占

3

0%，证明题占10%，计算题占

1

0%，论述题占

3

0%。

?三、考查的知识范围

1．半导体中的电子状态（10％）：能带论，半导体中的电子运动、有效质量，本征半导体的导电机制、空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。

2．载流子的统计分布（15％）：状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载流子的统计分布。

3．半导体的导电性（15％）：载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程；强电场效应，热载流子。

4．非平衡载流子（20％）：非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、连续性方程。

5．PN结（15％）：PN结及其能带图，PN结电流电压特性。

6．金属和半导体的接触（10％）：金属和半导体接触的整流理论，少数载流子的注入，欧姆接触。

7．半导体表面与MIS结构（15％）：表面电场效应，理想与非理想的MIS结构的C-V特性，Si-SiO

2

系统的性质，表面电导。

四、参考书目

《半导体物理学》（第7版），刘恩科主编，电子工业出版社